FT8783ND1低成本高性能5V2A电源芯片方案过认证

科创生活 2025-12-20 财富自由人 3998

在当今竞争激烈的电源市场中，如何在保证性能的同时降低成本，是每个工程师都面临的挑战。传统方案如LP3783A虽然可靠，但其复杂的外围电路和高昂的物料成本，已难以满足市场对低成本、高性能电源的需求。FT8783ND1凭借其创新的原边反馈技术和集成的功率管，为5 V/2 A电源设计提供了一种全新的解决方案，不仅大幅简化了电路设计，降低了成本，还轻松满足了六级能效要求，为工程师们带来了新的选择。

芯片速览：FT8783ND1为何能替代LP3783A

项目 FT8783ND1 LP3783A
反馈方式 原边PSR，无光耦 副边+光耦+TL431
功率管 内置NPN 700 V 外置MOSFET
待机功耗 <75 mW@230 V ≈120 mW
效率 84.5 %@5 V/2 A 82 %
外围元件 19颗 28颗
封装 SOP-7 SOT23-6+TO-92

一句话：省掉光耦、431、次级检流电阻，BOM成本直接下浮12 %，人工插件减少30 %。

电路原理图：19颗料就能跑

核心拓扑——原边反激+PSR+同步整流

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原理图亮点

无Y电容也能过EMI，靠芯片抖频+斜率补偿

VDD启动电流仅3 µA，启动电阻1.5 MΩ，0.3 s上电

短路保护：FB<0.5 V且持续36 ms，进入打嗝模式

PCB布局：单面板双元件，36 mm × 35 mm

TOP：插件件（变压器、电解、共模）

BOT：贴片件（芯片、电阻、电容）

走线口诀

高压环路（Drain→T1→Rcs→GND）<15 mm，面积<1 cm²

同步整流大电流回路（T1→D2→USB→GND）短而粗，≥1 mm铜宽

FB取样走差分，远离Drain，包地屏蔽

VDD电容紧靠芯片4脚，地单点接高压电容负极

EMC秘籍

抖频已集成，无需外加频率调制

变压器的辅助绕组同名端与Drain反向，抵消共模

USB口加100 µF+100 nF并联，辐射余量>9 dB

变压器规格：EE16，3绕组，自动绕线机友好

绕组 匝数 线径 感量 备注
Np 110 T 0.12 mm 1.8 mH±5 % 原边
Ns 11 T 0.35 mm×2 —— 次级，铜箔亦可
Na 20 T 0.12 mm —— 辅助，给VDD供电

绕制顺序——

Np→Ns→Na，无屏蔽、无磁芯接地，普通反激结构，自动绕线机55 s/颗，人工成本再降1元。

BOM清单：19颗料

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总计19颗，贴片比例>60 %，适合SMT+AI混合线。

实测数据：轻松过六级能效

测试项 115 VAC 230 VAC 六级限值
平均效率 84.5 % 84.4 % ≥84.0 %
待机功耗 68 mW 72 mW ≤75 mW
纹波 120 mV 144 mV ≤200 mV
传导余量 -8 dB -7 dB 0 dB
辐射余量 -9 dB -9 dB 0 dB

温升——芯片表面98 ℃@45 ℃环温，余量>20 K

三步完成替代LP3783A

直接换板：保持EE16变压器、MB6S桥堆、USB座

调整Rcs：1.2 Ω→1.3 Ω（恒流点2 A）

拿掉光耦+431：FB分压电阻按3 k/18 k贴回，BOM减少9颗料

审核编辑 黄宇

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