基于SiC MOSFET的T型三电平数据中心UPS高效设计方案

以下是基于B3M010C075Z（750V）和B3M013C120Z（1200V）SiC MOSFET的T型三电平数据中心UPS高效设计方案，融合多电平拓扑优势与SiC器件特性： 核心拓扑：T型三电平逆变器 图表 滤波 T型三电平桥臂 高压外管 中管 低压外管 B3M013C120Z 中点 B3M010C075Z B3M013C120Z 直流母线 输出变压器/LC 器件分工： 高压外管（S1/S3）：1200V SiC（B3M013C120Z）承受高阻断电压 中管（S2）：750V SiC（B3M010C075Z）利用低导通电
2025-08-11 7282 [ 科创生活 ] 查看

两款SiC MOSFET模块在三相四桥臂变换器中的应用优势分析如下（聚焦工商业储能PCS场景）

BMF008MR12E2G3和BMF240R12E2G3两款SiC MOSFET模块在三相四桥臂变换器中的应用优势分析如下（聚焦工商业储能PCS场景）： 1. 三相四桥臂变换器的核心需求 不平衡负载能力：工商业储能离网运行时需应对单相/三相不平衡负载（如单相空调、机床），传统三相三线拓扑无法补偿零序电流，导致电压畸变。 高效率要求：PCS效率直接影响储能系统经济性（充放电循环损耗）。 功率密度：需减小体积/重量以降低安装成本。 谐波抑制：离网供电需满足THD<5%的电能质量标准。 2. SiC MOSFET的核心优势（对比IGBT）
2025-08-08 6505 [ 科创生活 ] 查看
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