基于SiC MOSFET的T型三电平数据中心UPS高效设计方案
以下是基于B3M010C075Z（750V）和B3M013C120Z（1200V）SiC MOSFET的T型三电平数据中心UPS高效设计方案，融合多电平拓扑优势与SiC器件特性：
核心拓扑：T型三电平逆变器
图表
滤波
T型三电平桥臂
高压外管
中管
低压外管
B3M013C120Z
中点
B3M010C075Z
B3M013C120Z
直流母线
输出变压器/LC
器件分工：
高压外管（S1/S3）：1200V SiC（B3M013C120Z）承受高阻断电压
中管（S2）：750V SiC（B3M010C075Z）利用低导通电